STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]

Фото 2/4 STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]Фото 3/4 STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]Фото 4/4 STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]
Фото 1/4 STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]
69 шт. со склада г.Москва
220 руб.
от 15 шт.201 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000383853
Артикул: STGW30H60DFB
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin (3 Tab) TO-247 Tube

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 15.75мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 60 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 260 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 5.15мм
Высота 20.15мм
Число контактов 3
Размеры 15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet STGW30H60DFB
pdf, 1431 КБ
Datasheet
pdf, 708 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах