STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]

Фото 2/5 STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]Фото 3/5 STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]Фото 4/5 STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]Фото 5/5 STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
Фото 1/5 STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
123 шт. со склада г.Москва
350 руб.
от 15 шт.336 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000253508
Артикул: STGW30NC60WD
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Length 15.75mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 60 A
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 200 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5.15mm
Height 20.15mm
Pin Count 3
Dimensions 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Switching Speed 1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet STGW30NC60WD
pdf, 525 КБ
Datasheet STGW30NC60WD
pdf, 540 КБ
STGW30NC60WD
pdf, 530 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах