STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт TO-247

Артикул: STGW35HF60WD
Ном. номер: 9000110088
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт TO-247
Фото 2/2 STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт TO-247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
220 руб. × = 220 руб.
от 5 шт. — 210 руб.
от 50 шт. — 190 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.65
Управляющее напряжение,В
5.75
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

STGW35HF60WD
pdf, 447 КБ

Дополнительная информация

STGW35HF60WD, 35A, 600V Ultra Fast IGBT STGW35HF60WD
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов