STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A [ TO-247-3 ]

Артикул: STGW39NC60VD
Ном. номер: 9030000101
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A [ TO-247-3 ]
Фото 2/4 STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A [ TO-247-3 ]Фото 3/4 STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A [ TO-247-3 ]Фото 4/4 STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A [ TO-247-3 ]
Есть в наличии более 40 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
120 руб. × = 120 руб.
от 25 шт. — 110 руб.
от 30 шт. — 107 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая документация

en.CD00077683
pdf, 420 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STGW39NC60VD
STGW39NC60VD, 40A - 600V - Very Fast IGBT Data Sheet STGW39NC60VD
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов