STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]

Фото 2/3 STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]Фото 3/3 STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
Фото 1/3 STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
628 шт. со склада г.Москва
220 руб.
от 15 шт.202 руб.
от 150 шт.200 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9030000101
Артикул: STGW39NC60VD
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Технические параметры

Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 178
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

STGW39NC60VD
pdf, 420 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах