Мой регион: Россия

STGW40H60DLFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Ном. номер: 8001822473
PartNumber: STGW40H60DLFB
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGW40H60DLFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STGW40H60DLFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
440 руб.
590 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 334 руб.
от 100 шт. — 289 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
420 руб. 8 дней, 26 шт. 2 шт. 2 шт.
от 20 шт. — 310 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT Discretes, STMicroelectronics

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
15.75mm
Transistor Configuration
Одиночный
Brand
STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
80 A
Package Type
TO-247
Maximum Power Dissipation
283 W
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.15mm
Height
20.15mm
Pin Count
2
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Вес, г
0.35

Дополнительная информация

Datasheet STGW40H60DLFB

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.