STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В TO247

Артикул: STGW45HF60WD
Ном. номер: 9050001697
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В TO247
Фото 2/2 STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В TO247
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
280 руб. × = 280 руб.
от 5 шт. — 270 руб.
от 50 шт. — 250 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.9
Управляющее напряжение,В
5.75
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Дополнительная информация

STGW45HF60WD, 45A, 600V Ultra Fast IGBT STGW45HF60WD
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов