STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]

Фото 2/3 STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]Фото 3/3 STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
Фото 1/3 STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
436 шт. со склада г.Москва
700 руб.
от 15 шт.681 руб.
от 150 шт.678 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000295099
Артикул: STGW60V60DF
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2.3 В, Максимальная мощность 375 Вт, Заряд затвора 334 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 208
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-247
Вес, г 7.5

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах