STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
![Фото 1/8 STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307886.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
161 шт. со склада г.Москва
1 400 руб.
от 15 шт. —
1 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 400 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Trench and Fieldstop | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 60 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 208 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
