Мой регион: Россия

STH270N8F7-2, MOSFET N-Ch 80V 180A STri

PartNumber: STH270N8F7-2
Ном. номер: 8000004513
Производитель: ST Microelectronics
STH270N8F7-2, MOSFET N-Ch 80V 180A STri
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
690 руб.
5356 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 20 шт. — 510 руб.
от 40 шт. — 477 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 380 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Тип корпуса
H2PAK-2
Максимальное рассеяние мощности
315 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
15.8мм
Высота
4.8мм
Размеры
10.4 x 15.8 x 4.8мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
56 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
98 ns
Серия
STripFET H7
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
34 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
193 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
13600 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.