Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A ...

STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

9060000270

Артикул

STP10NK80ZFP

Бренд

STMicroelectronics

Структура

N-канал

Крутизна характеристики, S

9.6

Корпус

TO-220FP

Вес, г

Все параметры

Datasheet

pdf, 439 КБ

Все документы

145 шт. со склада г.Москва

510 руб.

от 15 шт. — 426 руб.

от 150 шт. — по запросу

1 шт. на сумму 510 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения4

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание

Отзывы

Описание Транзистор полевой STP10NK80ZFP от STMicroelectronics - надежный компонент для проектов, требующих высокого напряжения и тока. Модель STP10NK80ZFP, выполненная в корпусе TO220FP, предназначена для монтажа THT. Этот полевой N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 9 А и работать при напряжении сток-исток до 800 В. Эффективность его работы подтверждается мощностью 40 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,9 Ом. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других устройствах, где требуется высокая напряженность и надежность. Компонент STP10NK80ZFP гарантирует высокое качество и производительность, характерные для продукции STMicroelectronics. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	9
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	40
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.9
Корпус	TO220FP

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.9 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	40
Крутизна характеристики, S	9.6
Корпус	TO-220FP
Вес, г	2