Мой регион: Россия

STP110N10F7

Ном. номер: 8001584067
PartNumber: STP110N10F7
Производитель: ST Microelectronics
STP110N10F7
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
511 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 193 руб.
от 100 шт. — 154 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
200 руб. 8 дней, 1850 шт. 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
150 W
Mounting Type
Through Hole
Width
4.6mm
Height
15.75mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
25 ns
Brand
STMicroelectronics
Typical Turn-Off Delay Time
52 ns
Series
STripFET H7
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
5117 pF@ 50 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.