STP11NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.37 Ом, 10А [TO-220AB]

Артикул: STP11NM60ND
Ном. номер: 9000187575
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STP11NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.37 Ом, 10А [TO-220AB]
Фото 2/4 STP11NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.37 Ом, 10А [TO-220AB]Фото 3/4 STP11NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.37 Ом, 10А [TO-220AB]Фото 4/4 STP11NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.37 Ом, 10А [TO-220AB]
Есть в наличии более 150 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
78 руб. × = 78 руб.
от 15 шт. — 73 руб.
от 150 шт. — 72 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
450
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

...11NM60ND
pdf, 748 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STP11NM60ND
N-channel 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II Power MOSFET DPAK STP11NM60ND