STP120NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 110А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
358 шт. со склада г.Москва
420 руб.
от 15 шт. —
390 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0105 Ом/60А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 312 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1031 КБ
Datasheet
pdf, 940 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP120NF10
pdf, 380 КБ
STB120NF10T4, STP120NF10, STW120NF10
pdf, 825 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают