STP13NM60ND, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 11 А, 0.32 Ом, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

100 шт., срок 8-10 недель

480 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 470 руб.

от 100 шт. — 446 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 880 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001729590

Артикул: STP13NM60ND

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

N-канал 600V 11A (Tc) 109W (Tc) сквозное отверстие TO-220

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.32Ом
Power Dissipation	109Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	FDmesh II
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	11А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	109Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.32Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Base Product Number	STP13 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.5nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	845pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 5.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	FDmeshв„ў II ->
Supplier Device Package	TO-220
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Вес, г	0.35