Мой регион: Россия

STP18N65M2, MOSFET N-Ch 650V 12A MDme

PartNumber: STP18N65M2
Ном. номер: 8000126849
Производитель: ST Microelectronics
STP18N65M2, MOSFET N-Ch 650V 12A MDme
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
705 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 900 руб.
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
12 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
46 ns
Серия
MDmesh M2
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
330 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
20 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
770 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Прямое напряжение диода
1.6V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.