STP18N65M2, N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220

Фото 2/2 STP18N65M2, N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220
Фото 1/2 STP18N65M2, N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
95 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
160 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 800 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000126849
Артикул: STP18N65M2
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Semiconductors
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current 12 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 110 W
Серия MDmesh M2
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Width 4.6мм
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Высота 15.75мм
Maximum Drain Source Resistance 330 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 20 nC @ 10 V
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
Forward Diode Voltage 1.6V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Длина 10.4мм
Максимальный непрерывный ток стока 12 А
Тип корпуса TO-220
Series MDmesh M2
Максимальное пороговое напряжение включения 4V
Максимальное напряжение сток-исток 650 В
Число контактов 3
Материал транзистора Кремний
Тип канала N
Base Product Number STP18 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 6A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 12A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 110W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 330mО© @ 6A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 525 КБ
Datasheet
pdf, 190 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах