Мой регион: Россия

STP18NM60N, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 600 В, 0.26 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8183935221
PartNumber: STP18NM60N
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STP18NM60N, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 600 В, 0.26 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STP18NM60N, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 600 В, 0.26 Ом, 10 В, 3 В
240 руб.
408 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 169 руб.
от 100 шт. — 133 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
350 руб. 8 дней, 4180 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 200 руб.
от 25 шт. — 171 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Transistor Configuration
Single
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
110 W
Series
MDmesh
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Height
15.75mm
Maximum Drain Source Resistance
285 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Вес, г
7.257

Дополнительная информация

Datasheet STP18NM60N

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.