STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]
![Фото 1/4 STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/338/DOC001338400.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 шт. со склада г.Москва
630 руб.
от 5 шт. —
592 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 550В, 20А, 192Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 | |
| Крутизна характеристики, S | 10 | |
| Корпус | to-220 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet STP20NM50
pdf, 350 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
