STP20NM60FD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
2 180 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003139331
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 12,6А, 45Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Online Catalog | N-Channel Standard FETs |
| Other Names | 497-5395-5STP20NM60FD-ND |
| Other Related Documents | STP20NM60FD View All Specifications |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Power - Max | 192W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 10V |
| Series | FDmesh™ |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.3nF@25V |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 192W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 37nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 337 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
