STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB]
![Фото 1/3 STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/334/DOC001334631.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
128 шт. со склада г.Москва
480 руб.
от 15 шт. —
437 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 12,6А, 140Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.165 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
| Корпус | to-220 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet STP26NM60N
pdf, 1039 КБ
Datasheet STW26NM60N
pdf, 1160 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
