STP45N10F7, Power MOSFET N channel 10

PartNumber: STP45N10F7
Ном. номер: 8030224859
Производитель: ST Microelectronics
STP45N10F7, Power MOSFET N channel 10
Доступно на заказ 25 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
150 руб. × = 750 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 15.75mm
высота
15.75mm
длина
10.4mm
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Resistance
0.018 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
60 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1640 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
24 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
ширина
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V

Дополнительная информация

STD45N10F7, STI45N10F7, STP45N10F7, N-Channel 100V, 0.0145 Ohm typ., 45A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, I2PAK and TO-220 pack STP45N10F7