STP5N60M2, N-Channel MOSFET, 3.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220

Фото 2/2 STP5N60M2, N-Channel MOSFET, 3.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220
Фото 1/2 STP5N60M2, N-Channel MOSFET, 3.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
160 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.130 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 800 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8680036598
Артикул: STP5N60M2
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Semiconductors
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 3.5 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 45 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.6мм
Высота 15.75мм
Размеры 10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 11.8 ns
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 70 нс
Серия MDmesh M2
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 1.4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 650 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 8.5 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 211 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Id - непрерывный ток утечки 3.7 A
Pd - рассеивание мощности 45 W
Qg - заряд затвора 4.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.26 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 540 КБ
Datasheet
pdf, 517 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах