STP60NF06L, Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5122 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 280 шт.
от 511 шт. —
130 руб.
от 1446 шт. —
125 руб.
Добавить в корзину 280 шт.
на сумму 39 200 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 60 Volt 60 Amp
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 15 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 220 ns |
| Время спада | 30 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP60NF06L |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -15 V, +15 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 514 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP60NF06L
pdf, 493 КБ
STP60NF06L
pdf, 498 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
