STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
611 шт. со склада г.Москва
280 руб.
от 15 шт. —
234 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/30А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
Крутизна характеристики, S | 50 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 332 КБ
Документация
pdf, 329 КБ
STD65NF06 - STP65NF06
pdf, 329 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают