Мой регион: Россия

STPSC20065D, SiC Schottky Diode 650V 2

PartNumber: STPSC20065D
Ном. номер: 8000001361
Производитель: ST Microelectronics
STPSC20065D, SiC Schottky Diode 650V 2
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
820 руб.
996 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 590 руб.
от 10 шт. — 543 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
630 руб. 2-3 недели, 798 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 481 руб.
от 100 шт. — 417 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, STMicroelectronics
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier.

Semiconductors

Технические параметры

Diode Configuration
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Производитель
STMicroelectronics
Тип корпуса
TO-220AC
Максимальный непрерывный прямой ток
20A
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Maximum Forward Voltage Drop
1.65V
Число контактов
2
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
400A
Пиковый обратный ток
2mA
Тип диода
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
650V
Diode Technology
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.