Мой регион: Россия

STPSC2H12B-TR1, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 2 А, 15.6 нКл, TO-252

Ном. номер: 8221314586
PartNumber: STPSC2H12B-TR1
Производитель: ST Microelectronics
STPSC2H12B-TR1, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 2 А, 15.6 нКл, TO-252
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
280 руб.
784 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 205 руб.
от 100 шт. — 163 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

The Schottky Silicon-Carbide Diodes from STMicroelectronics take advantage of SiC's impressive performance over standard Silicon. Offering double or triple the bandgap in comparison to silicon means that SIC devices can tolerate much higher voltages and electric fields. The low reverse recovery characteristics increase efficiency in all systems thanks to their low forward voltage and make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings. These savings are found in SMPS applications as well as solar energy conversion, EV or HEV charging stations, and many more. The product ranges from 600V to 1200Vin through hole and SMD packages.

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки

Технические параметры

Количество Выводов
Стиль Корпуса Диода
Максимальное Значение Напряжения Vrrm
Конфигурация Диода
Постоянный Прямой Ток If
Полный Емкостной Заряд Qc
Максимальная Температура Перехода Tj
Вес, г
0.386

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.