STQ1HNK60R-AP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: STQ1HNK60R-AP
Ном. номер: 8042803917
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STQ1HNK60R-AP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 В
Фото 2/3 STQ1HNK60R-AP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 ВФото 3/3 STQ1HNK60R-AP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 1405 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
48 руб. × = 48 руб.
от 25 шт. — 44 руб.
от 100 шт. — 35 руб.

Описание

The STQ1HNK60R-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• Improved ESD capability
• New high voltage benchmark

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-92
Рассеиваемая Мощность
3Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Непрерывный Ток Стока
400мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
8Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet STQ1HNK60R-AP
STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8Ω - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Data Sheet