Мой регион: Россия

STS11NF30L, MOSFET N-CHANNEL 30V 11A SOIC8

Ном. номер: 8000003119
PartNumber: STS11NF30L
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STS11NF30L, MOSFET N-CHANNEL 30V 11A SOIC8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STS11NF30L, MOSFET N-CHANNEL 30V 11A SOIC8
18 руб.
1625 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 90 руб.
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.25мм
Размеры
5 x 4 x 1.25мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
22 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
STripFET F3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
10.5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
22,5 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1440 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В

Дополнительная информация

Datasheet STS11NF30L

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.