Мой регион: Россия

STS3P6F6, Power MOSFET P ch StripFE

PartNumber: STS3P6F6
Ном. номер: 8000004485
Производитель: ST Microelectronics
STS3P6F6, Power MOSFET P ch StripFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 руб.
2490 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 620 руб.
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2.7 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,4 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
14 ns
Серия
STripFET
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
160 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6.4 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
340 pF @ 48 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.