STU7NM60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 5А 45Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
33 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 462 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 5А 45Вт
Технические параметры
Корпус | TO-251 | |
Id - непрерывный ток утечки | 5 A | |
Pd - рассеивание мощности | 45 W | |
Qg - заряд затвора | 14 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 10 ns | |
Время спада | 12 ns | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | MDmesh | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | STU7NM60N | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 26 ns | |
Типичное время задержки при включении | 7 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-251-3 | |
Base Product Number | STU7NM60 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 50V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | MDmeshв„ў II -> | |
Supplier Device Package | I-PAK | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±25V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 596 КБ
Datasheet STU7NM60N
pdf, 582 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.