STU7NM60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 5А 45Вт

Фото 1/3 STU7NM60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 5А 45Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
33 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
Добавить в корзину 14 шт. на сумму 462 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8253293937
Артикул: STU7NM60N
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 5А 45Вт

Технические параметры

Корпус TO-251
Id - непрерывный ток утечки 5 A
Pd - рассеивание мощности 45 W
Qg - заряд затвора 14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 10 ns
Время спада 12 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия STU7NM60N
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 26 ns
Типичное время задержки при включении 7 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-251-3
Base Product Number STU7NM60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series MDmeshв„ў II ->
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 0.66

Техническая документация

Datasheet
pdf, 596 КБ
Datasheet STU7NM60N
pdf, 582 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.