STW18NM80, MOSFET N-Channel 800V 17A

PartNumber: STW18NM80
Ном. номер: 8084814817
Производитель: ST Microelectronics
STW18NM80, MOSFET N-Channel 800V 17A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
480 руб. × = 480 руб.
от 10 шт. — 260 руб.

Описание

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
размеры
15.75 x 5.15 x 20.15mm
высота
20.15mm
длина
15.75mm
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Resistance
0.295 Ω
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
190 W
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2070 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
96 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
ширина
5.15mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package STW18NM80