STW23NM50N, Транзистор N-MOSFET 500В 17А 125Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
292 шт. со склада г.Москва
640 руб.
от 15 шт. —
594 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/8.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
Корпус | TO-247 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
STW23NM50N
pdf, 403 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.