STW23NM50N, МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 500 В, 0.162 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: STW23NM50N
Ном. номер: 8007033818
Производитель: ST Microelectronics
STW23NM50N, МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 500 В, 0.162 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 56 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
470 руб. × = 470 руб.
от 25 шт. — 419 руб.

Описание

The STW23NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to strip layout to yields one of lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
17А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.162Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet STW23NM50N