STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]

Артикул: STW34NM60N
Ном. номер: 9000187563
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]
Фото 2/4 STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]Фото 3/4 STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]Фото 4/4 STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
260 руб. × = 260 руб.
от 5 шт. — 240 руб.
от 50 шт. — 221 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STW34NM60N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
92
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

...34NM60N
pdf, 1542 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STW34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK STW34NM60N
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов