STW35N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 28 А, 0.094 Ом, TO-247, Through Hole

Фото 1/3 STW35N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 28 А, 0.094 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
597 шт., срок 8-10 недель
1 410 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.1 310 руб.
от 10 шт.1 210 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 820 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8044206920
Артикул: STW35N60DM2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power МОП-транзисторs in TO-247 package

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 28 A
Pd - рассеивание мощности 210 W
Qg - заряд затвора 54 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 17 ns
Время спада 10.7 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 600
Серия STW35N60DM2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 68 ns
Типичное время задержки при включении 21.2 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number STW35 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series MDmeshв„ў DM2 ->
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration 1 N-Channel
Factory Pack Quantity 600
Fall Time 10.7 ns
Id - Continuous Drain Current 28 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Pd - Power Dissipation 210 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 54 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 110 mOhms
Rise Time 17 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 68 ns
Typical Turn-On Delay Time 21.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Vgs - Gate-Source Voltage 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.6V
Maximum Continuous Drain Current 28 A
Maximum Drain Source Resistance 110 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Maximum Power Dissipation 210 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 10 V
Width 5.15mm
Вес, г 4.43

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 701 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 578 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 699 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 568 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.