STW43N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 34 А, 0.085 Ом, TO-247, Through Hole

Фото 2/2 STW43N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 34 А, 0.085 Ом, TO-247, Through Hole
Фото 1/2 STW43N60DM2, Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 600 В, 34 А, 0.085 Ом, TO-247, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8000181814
Артикул: STW43N60DM2
Производитель: ST Microelectronics
720 руб.
1 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
570 руб. 7 дней, 1194 шт. 2 шт. 2 шт.
401 руб. 3-4 недели, 850 шт. 1 шт. 20 шт.
от 268 шт. — 346 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора to-247
Рассеиваемая Мощность 250Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 34А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.085Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Transistor Mounting Through Hole
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 34 А
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 250 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.15мм
Высота 20.15мм
Размеры 15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.75мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 17 нс
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 86 нс
Серия MDmesh DM2
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 93 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 650 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 60 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2505 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Прямое напряжение диода 1.6V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 34 А
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 250 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.15мм
Высота 20.15мм
Материал транзистора Кремний
Number of Elements per Chip 1
Length 15.75мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Серия MDmesh DM2
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 93 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 В
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 60 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Тип канала N
Maximum Gate Source Voltage -25 В, +25 В
Прямое напряжение диода 1.6V
Вес, г 4.43

Дополнительная информация

Datasheet STW43N60DM2

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.