STW70N60DM2, MOSFET

Фото 2/3 STW70N60DM2, MOSFETФото 3/3 STW70N60DM2, MOSFET
Фото 1/3 STW70N60DM2, MOSFET
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
208 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
1 270 руб.
от 10 шт.1 070 руб.
от 100 шт.851 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 270 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8639555752
Артикул: STW70N60DM2
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Semiconductors
Серия MDmesh DM2 с N-каналом, STMicroelectronics
МОП-транзисторы MDmesh DM2 предлагают низкое значение RDS (включено), а благодаря улучшенному времени обратного восстановления диода для повышения эффективности эта серия оптимизирована для работы с полным мостом с фазовым сдвигом. Топологии ZVS.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 66 А
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 446 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.15мм
Высота 20.15мм
Размеры 15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.75мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 32 нс
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 112 ns
Серия MDmesh DM2
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 42 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 121 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 5508 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Прямое напряжение диода 1.6V
Maximum Continuous Drain Current 66 А
Package Type TO-247
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Width 5.15мм
Height 20.15мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand STMicroelectronics
Series MDmesh DM2
Максимальное пороговое напряжение включения 5V
Минимальное пороговое напряжение включения 3V
Maximum Drain Source Voltage 600 В
Pin Count 3
Forward Diode Voltage 1.6V
Id - непрерывный ток утечки 66 A
Pd - рассеивание мощности 446 W
Qg - заряд затвора 121 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 42 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 67 ns
Время спада 10.4 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 600
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки при включении 32 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number STW70 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5508pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 33A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 66A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 446W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 42mО© @ 33A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600V
Vgs - Gate-Source Voltage 5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet STW70N60DM2
pdf, 454 КБ
Datasheet STW70N60DM2
pdf, 719 КБ
Datasheet STW70N60DM2
pdf, 469 КБ
Datasheet STW70N60DM2
pdf, 599 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах