STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]

Артикул: STW9N150
Ном. номер: 9000187584
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]
Фото 2/4 STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]Фото 3/4 STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]Фото 4/4 STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
310 руб. × = 310 руб.
от 5 шт. — 270 руб.
от 50 шт. — 260 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STW9N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.

• 100% Avalanche tested
• Avalanche ruggedness
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• High speed switching
• Very low on-resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

STW9N150
pdf, 254 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STW9N150
Datasheet STW9N150