STWA75N60M6, MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ 72 A MDmesh M6 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
594 шт., срок 7-9 недель
2 540 руб.
от 10 шт. —
2 390 руб.
от 25 шт. —
2 200 руб.
от 50 шт. —
2 196.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 540 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 45А, Idm: 288А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 446 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 106 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 36 mOhms |
| Rise Time: | 38 ns |
| Series: | Mdmesh M6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 72 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 446 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.25V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Width | 5.1mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
| Power Dissipation | 446Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh M6 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 72А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 446Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.032Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 546 КБ
Datasheet STWA75N60M6
pdf, 563 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
