Мой регион: Россия

SUD50N04-8M8P-4GE3

Ном. номер: 8168985357
PartNumber: SUD50N04-8M8P-4GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SUD50N04-8M8P-4GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SUD50N04-8M8P-4GE3
120 руб.
4651 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 96 руб.
от 100 шт. — 64 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
13 руб. По запросу 1 шт. 289 шт.
88 руб. 8 дней, 220 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 55 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.8 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
48,1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.38мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
45 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
10.5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
-40 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2400 pF @ 20 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.