Мой регион: Россия

TIP105TU, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 80 Вт, -8 А, 200 hFE

Ном. номер: 8001631187
PartNumber: TIP105TU
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 TIP105TU, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 80 Вт, -8 А, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 TIP105TU, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 80 Вт, -8 А, 200 hFE
120 руб.
979 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 99 руб.
от 100 шт. — 76 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 8 дней, 580 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 67 руб.
от 100 шт. — 53 руб.
49 руб. 3-4 недели, 1988 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 46.80 руб.
от 100 шт. — 42.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-2 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Длина
10.67мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора
-50µA
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
-8 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
80 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Тип транзистора
PNP
Высота
16.51мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.5

Дополнительная информация

Datasheet TIP105TU

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.