TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]

Фото 2/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]Фото 3/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]Фото 4/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]
Фото 1/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]
456 шт. со склада г.Москва
33 руб.
от 15 шт.25 руб.
от 150 шт.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 33 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 968035326
Артикул: TIP112
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

Технические параметры

Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 50
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 245 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах