TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]

Артикул: TIP112
Ном. номер: 968035326
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]
Фото 2/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]Фото 3/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]Фото 4/4 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
35 руб. × = 35 руб.
от 20 шт. — 25 руб.
от 200 шт. — 21 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Bipolar Transistors

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet TIP112
Datasheet TIP112
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов