TIP120G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 60 В, 65 Вт, 5 А, 1000 hFE

Фото 2/3 TIP120G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 60 В, 65 Вт, 5 А, 1000 hFEФото 3/3 TIP120G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 60 В, 65 Вт, 5 А, 1000 hFE
Фото 1/3 TIP120G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, NPN, 60 В, 65 Вт, 5 А, 1000 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1191 шт., срок 5-6 недель
130 руб.
от 10 шт.91 руб.
от 100 шт.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8346674655
Артикул: TIP120G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The TIP120G is a NPN Darlington bipolar Power Transistor, designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications.

• High DC current gain
• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 60В
Стиль Корпуса Транзистора to-220
Рассеиваемая Мощность 65Вт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE 1000hFE
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 4 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 15.75mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Transistor Configuration Single
Maximum Collector Cut-off Current 0.5mA
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum Continuous Collector Current 8 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 65 W
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 10.28mm
Transistor Type NPN
Height 4.82mm
Pin Count 3
Dimensions 15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 1000
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
PCB changed 3
Package Height 9.28(Max)
Lead Shape Through Hole
Tab Tab
Package Length 10.53(Max)
Mounting Through Hole
Package Width 4.83(Max)
Type NPN
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 5
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 200
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 4@20mA@5A|2@12mA@3A
Minimum DC Current Gain 1000@0.5A@3V|1000@3A@3V
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tube
Automotive Yes
Pin Count 3
Supplier Package TO-220AB
Standard Package Name TO-220
Military No
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 4 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 15.75mm
Конфигурация транзистора Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Cut-off Current 0.5mA
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum Continuous Collector Current 8 A
Тип корпуса TO-220
Maximum Power Dissipation 65 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 10.28mm
Тип транзистора NPN
Height 4.82mm
Число контактов 3
Размеры 15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 1000
Вес, г 1

Дополнительная информация

Datasheet TIP120G
Datasheet TIP120G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах