Добавить к сравнению Сравнить ()

TIP3055G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2.5 МГц, 90 Вт, 15 А, 5 hFE

Ном. номер: 8199093969
PartNumber: TIP3055G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 TIP3055G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2.5 МГц, 90 Вт, 15 А, 5 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 TIP3055G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2.5 МГц, 90 Вт, 15 А, 5 hFEФото 3/3 TIP3055G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2.5 МГц, 90 Вт, 15 А, 5 hFE
260 руб.
21 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 198 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
106 руб. 3-4 недели, 600 шт. 1 шт. 72 шт.
191 руб. 3-5 недель, 600 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 168 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The TIP3055G is a 60V Silicon NPN Bipolar Complementary Power Transistor designed for general purpose switching and amplifier applications.

• Excellent safe operating area
• DC Current gain(hFE = 20 to 70 at Ic = 4ADC)
• Collector-emitter saturation voltage(Vce (sat) = 1.1VDC maximum at Ic = 4ADC)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Линейка Продукции
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
60
Maximum Emitter Base Voltage (V)
7
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
1.1@400mA@4A|3@3.3A@10A
Maximum DC Collector Current (A)
15
Minimum DC Current Gain
20@4A@4V|5@10A@4V
Maximum Power Dissipation (mW)
90000
Maximum Transition Frequency (MHz)
2.5(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
Yes
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
21.08(Max)
Package Length
16.26(Max)
Package Width
5.3(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 В пост. тока
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 МГц
Number of Elements per Chip
1
Length
15.2мм
Maximum Collector Base Voltage
100 В пост. тока
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
60 В пост. тока
Package Type
SOT-93
Maximum Power Dissipation
90 Вт
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.9мм
Maximum DC Collector Current
15 A
Transistor Type
NPN
Высота
20.35mm
Pin Count
3
Dimensions
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maximum Emitter Base Voltage
7 В пост. тока
Transistor Material
Кремний
Minimum DC Current Gain
5
Вес, г
4.082

Дополнительная информация

Datasheet TIP3055G
Datasheet TIP3055G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.