TK100A06N1,S4X(S, MOSFET

Фото 2/3 TK100A06N1,S4X(S, MOSFETФото 3/3 TK100A06N1,S4X(S, MOSFET
Фото 1/3 TK100A06N1,S4X(S, MOSFET
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
160 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 800 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8343162238
Артикул: TK100A06N1,S4X(S
Производитель: Toshiba

Описание

Semiconductors

МОП-транзисторы, Toshiba

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 263 A
Тип корпуса TO-220SIS
Максимальное рассеяние мощности 45 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.5мм
Высота 15мм
Размеры 10 x 4.5 x 15мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 110 ns
Производитель Toshiba
Типичное время задержки выключения 180 ns
Серия TK
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Максимальное сопротивление сток-исток 2,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 140 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 10500 пФ при 30 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Прямое напряжение диода 1.2V
Brand Toshiba
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное пороговое напряжение включения 4V
Страна происхождения CN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 230 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах