TK100A06N1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 263А, 45Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

615 шт., срок 7 недель

690 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 690 руб.

Номенклатурный номер: 8002531619

Артикул: TK100A06N1

Бренд: Toshiba

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 263А, 45Вт, TO220FP Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	2.2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	45 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220SIS
Pin Count	3
Series	TK
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	140 nC @ 10 V
Width	4.5mm
Forward Diode Voltage	1.2V
Вес, г	1.55