Мой регион: Россия

TK12Q60W,S1VQ(S, MOSFET,N-CHANNEL, 600V,11.5A,IPAK

Ном. номер: 8000046113
PartNumber: TK12Q60W,S1VQ(S
Производитель: Toshiba
TK12Q60W,S1VQ(S, MOSFET,N-CHANNEL, 600V,11.5A,IPAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
10 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 1 100 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11.5 A
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.3мм
Высота
7.12мм
Размеры
6.65 x 2.3 x 7.12мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.65мм
Типичное время задержки включения
45 ns
Производитель
Toshiba
Типичное время задержки выключения
85 ns
Серия
DTMOSIV
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Максимальное сопротивление сток-исток
340 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Импульсный регулятор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
890 пФ при 300 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
1.7V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.