TK16A60W5,S4VX(M, N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS TK16A60W5,S4VX(M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7 недель
690 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 450 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220SIS |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
