Мой регион: Россия

TK35E08N1,S1X(S, MOSFET,N-CHANNEL, 80V,55A,TO220

Ном. номер: 8000046327
PartNumber: TK35E08N1,S1X(S
Производитель: Toshiba
TK35E08N1,S1X(S, MOSFET,N-CHANNEL, 80V,55A,TO220
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
88 руб.
100 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 40 руб.
от 100 шт. — 35 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 880 руб.
В кредит от 0 руб./мес
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
55 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
72 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.45мм
Высота
15.1мм
Размеры
10.16 x 4.45 x 15.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичное время задержки включения
28 ns
Производитель
Toshiba
Типичное время задержки выключения
35 ns
Серия
U-MOSVIII-H
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
12,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Число контактов
3
Категория
Импульсный регулятор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1700 pF @ 40 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.