Мой регион: Россия

TK40E10N1,S1X(S, MOSFET N-Ch 100V 40A U-MO

PartNumber: TK40E10N1,S1X(S
Ном. номер: 8000005372
Производитель: Toshiba
TK40E10N1,S1X(S, MOSFET N-Ch 100V 40A U-MO
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
940 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 130 руб.
от 75 шт. — 102 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
53.20 руб. 3-4 недели, 300 шт. 50 шт. 150 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
90 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
126 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.45мм
Высота
15.1мм
Размеры
10.16 x 4.45 x 15.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 ns
Производитель
Toshiba
Типичное время задержки выключения
57 нс
Серия
TK
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Максимальное сопротивление сток-исток
8,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
49 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3000 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.