Мой регион: Россия

TK6Q65W,S1Q(S, MOSFET,N-channel,650V,5.8

PartNumber: TK6Q65W,S1Q(S
Ном. номер: 8000046336
Производитель: Toshiba
TK6Q65W,S1Q(S, MOSFET,N-channel,650V,5.8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
79 руб.
10 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 790 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.3мм
Высота
7.12мм
Размеры
6.65 x 2.3 x 7.12мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.65мм
Типичное время задержки включения
34 нс
Производитель
Toshiba
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
DTMOSIV
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
1,05 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Импульсный регулятор
Типичный заряд затвора при Vgs
11 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
390 пФ при 300 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
1.7V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.