TPC8125, MOSFET P-Ch 30V 10A 10mOh

PartNumber: TPC8125
Ном. номер: 8022060955
Производитель: Toshiba
TPC8125, MOSFET P-Ch 30V 10A 10mOh
Доступно на заказ 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
110 руб. × = 550 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

P-Channel MOSFETs 8A to 10A

MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Quad Drain, Triple Source
размеры
4.9 x 3.9 x 1.52mm
высота
1.52mm
длина
4.9mm
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Resistance
0.017 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-30 V
Maximum Gate Source Voltage
+20 V, -25 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.9 W
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOP
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC@ -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2580 pF@ -10 V
Typical Turn-Off Delay Time
245 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
ширина
3.9mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

TPC8125, Silicon P-Channel MOSFET (U-MOSVI) Data Sheet TPC8125