Мой регион: Россия

TPN8R903NL,LQ(S, MOSFET N-Ch 30V 37A 10uA

PartNumber: TPN8R903NL,LQ(S
Ном. номер: 8000056529
Производитель: Toshiba
TPN8R903NL,LQ(S, MOSFET N-Ch 30V 37A 10uA
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
37 руб.
80 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 740 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
37 A
Тип корпуса
TSON
Максимальное рассеяние мощности
22 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.1мм
Высота
0.85
Размеры
3.1 x 3.1 x 0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8.3 ns
Производитель
Toshiba
Типичное время задержки выключения
14 ns
Серия
U-MOSVIII-H
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
12,7 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Коммутируемый полевой МОП-транзистор с регулятором
Типичный заряд затвора при Vgs
9,8 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
630 pF @ 15 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.